Brutális sebességű memória chipet kaptak a Galaxy S6 és Galaxy S6 edge készülékek

0 1,637

A Samsung nemrég mutatta be a legújabb UFS 2.0-s NAND flashmemória chipjeit, melyből egészen 128 GB-os kapacitású verzió is létezik. A chipek elsőként a Samsung Galaxy S6 és Galaxy S6 edge készülékekben érkeznek, melyek jelentősen nagyobb írási és olvasási sebességet képesek produkálni, mint a korábbi eMMC technológiájú chipek.

Ez nagyjából ugyanazt az eredmény hozza, mint anno, mikor elterjedtek a számítógépeknél az SSD háttértárolók: a készülékek szinte teljesen új erőre kaptak és sokkal gyorsabb lett a munkavégzés. Hogy ez pontosan mit is jelent a mobilkészülékek esetén, arról következzen egy teszt, amit a napokban végeztek.

Az új UFS 2.0 NAND standard egészen elképesztő eredményeket produkált és a mezőny össze tagját sikerült lealáznia. A technológia érdekessége, hogy egyszerre képes írni és olvasni is, ami az eMMC verziónál csupán egyidejűleg egy folyamatot jelentet. Az UFS 2.0 szekvenciális írási sebessége 350 MB/s, míg olvasási sebessége 150 MB/s. Ez 1,4 és 1,6 szoros sebességnövekedés az eMMC-hez képest, miközben nagyjából 50%-kal energiatakarékosabb is.

UFS 2.0 read

Az Androbench applikáció tesztjéből kiderül, hogy a Galaxy S6 és Galaxy S6 edge készülékekben lévő memória magasan veri a korábbi készülékek írási és olvasási sebességét. A szintén nemrég debütál HTC One M9 nincs a listán, viszont nagy valószínűséggel abban is még az eMMC chipek találhatóak. Az igazi előny azonban az írási sebességben mutatkozik meg, ahol míg a régebbi modellek 30-40 MB/s-ot voltak képesek produkálni, addig a Samsung üdvöskéi 140 MB/s-ot.

UFS 2.0 write

Forrás: AndroidPolice

Te mit gondolsz a hírrel kapcsolatban?
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  

Nincs hozzászólás

Szólj hozzá